Samsung Nvidia atminčiai ketina pasitelkti TSMC gamybą

Samsung Nvidia užsakomai didelio pralaidumo atminčiai ketina gaminti bazinį lustą naudodama konkurentės TSMC 3 nanometrų technologinį procesą. Spalio 18 dieną Seoul Economic Daily, remdamasis neįvardytais pramonės šaltiniais, pranešė apie planuojamą nukrypimą nuo įprastos Samsung gamybos schemos.

Pasak leidinio, iki šiol Samsung savo atminties gaminiams pati gamino ir duomenis saugančius sluoksnius, ir apačioje esantį loginį bazinį lustą. Naujam Nvidia produktui NVHBM ši grandinės dalis būtų perduota TSMC procesui, tačiau tai nereiškia visos Samsung atminties gamybos perdavimo.

Seoul Economic Daily rašo, kad Nvidia tokį patį reikalavimą pateikė trims būsimiems NVHBM tiekėjams: Samsung, SK hynix ir Micron. Baziniams lustams prašoma vienodo 3 nanometrų proceso, o atminties sluoksniams – šeštos kartos DRAM technologijos, žymimos trumpiniu 1c.

Leidinio aiškinimu, skirtingi tiekėjų gamybos procesai apsunkina vienodo našumo užtikrinimą, kai naudojamas bendras užsakovo parengtas techninis dizainas. Vienodesnė gamyba taip pat turėtų sumažinti atskirų tiekėjų produktų tikrinimo naštą, tačiau publikacijoje nepateikiami išmatuoti būsimos sistemos rezultatai.

NVHBM pristatyta rugpjūtį ir remiasi septintos kartos HBM4E architektūra, nurodo Seoul Economic Daily, aptardamas skirtingas atminties produktų šeimas. Šios sąsajos negalima laikyti patvirtinimu, kad visi standartiniai HBM4E gaminiai nuo šiol bus gaminami tik TSMC gamyklose ar tuo pačiu procesu.

Samsung Device Solutions padalinys po vidinio vertinimo sutiko atsižvelgti į Nvidia reikalavimus, teigia laikraščio kalbinti pramonės sektoriaus šaltiniai. Apie sprendimą paskelbta kaip apie šaltinių perduotą informaciją, o ne kaip apie bendrą Samsung, Nvidia ir TSMC oficialų pranešimą.

Reuters žinutėje, kurią paskelbė The Edge, taip pat remiamasi Seulo laikraščio informacija apie šį gamybos pakeitimą. Todėl antros publikacijos buvimas savaime nereiškia, kad sandorio sąlygos jau atskirai patvirtintos visų trijų bendrovių ar paskelbta jų sutartis.

Seoul Economic Daily primena, kad Samsung su TSMC anksčiau derino atminties ir grafikos procesorių sujungimo technologijų suderinamumą pakavimo etape. Dabartinis planas būtų pirmas jų bendradarbiavimas pačiame HBM gamybos etape, o ne apskritai pirmas techninis kontaktas tarp šių bendrovių.

Standartiniams HBM4 ir HBM4E produktams Samsung ketina išlaikyti savo 4 nanometrų bazinių lustų procesą, nurodoma tame pačiame reportaže. Ji taip pat planuoja išsaugoti integruotą gamybą kitiems užsakovams, įskaitant AMD, ir tikrina galimybes dalį NVHBM gaminti savo pajėgumais.

Laikraštis nurodo, kad Samsung 1c atminties sluoksnius gamina Hwaseong ir Pyeongtaek padaliniuose, todėl kalbama apie atskirų komponentų darbų pasidalijimą. Bazinis loginis lustas ir virš jo esantys duomenų saugojimo sluoksniai nėra ta pati gamybos grandinės dalis.

Leidinio šaltiniai šią papildomą galimybę sieja su rizika, kad būsima NVHBM paklausa galėtų viršyti TSMC turimus gamybos pajėgumus. Toliau turės paaiškėti konkretūs kiekiai, gamybos pradžia ir galutinė darbų dalyba; šių komercinių parametrų aptariama publikacija dar nepateikia.